20 世纪 50 年代，锗(Ge)是最早采用的半导体材料，最先用于分立器件中。集成电路的产生是半导体产业向前迈进的重要一步， 1958 年 7 月，在德克萨斯州达拉斯市的德州仪器公司，杰克·基尔比制造的第一块集成电路是采用一片锗半导体材料作为衬底制造的。
在半导体工业中，对于晶圆表面的缺陷检测，一般要求高效准确，能够快速有效地捕捉缺陷。对于晶圆表面缺陷的检测，最早主要是采用显微镜目检。随着技术的发展，半导体工艺制程由90nm发展为14nm，用目检的方式进行图形缺陷检测己经无法满足目前精度的需求，并且晶圆表面缺陷的数据越来越多，靠人力进行检查已越来越力不从心。目前使用较为广泛的基于图像处理的晶圆表面缺陷检测方法，通过工业相机采集一张完整的待测晶圆图像，再进行处理。
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